CÍMLAP
Mitsa Volodomir
Raman szórás nanoszerkezetű kalkogenid üvegekben
TARTALOM, ÖSSZEFOGLALÓ
Tartalom
Összefoglaló
1. Bevezetés
2. Az üvegek kötésszerkezeti tulajdonságainak és középtávú rendeződésének vizsgálatára alkalmazott kísérleti és elméleti módszerek
2.1. A kalkogenid üvegek előállítása és a spektroszkópiai vizsgálatok során használt mintákkal szembeni követelmények
2.2. Az abszorpciós él Urbach nyúlványának vizsgálata
2.3. A Raman szórási spektrumok mérése
2.4. Elektron- és rezgési spektrum számítási módszerek
3. AsxS100-x üvegek szerkezetének vizsgálata Raman szórással különböző gerjesztő energiák esetén
3.1. Fotoindukált változások a kalkogenid üvegekben és rétegekben
3.2. Az abszorpciós él Urbach nyúlványának változása a hőmérséklet és az összetétel függvényében As-S üvegekben
3.3. A technológiailag módosított g-As2S3 rezgési spektrumainak szerkezeti interpretációja molekuláris közelítésben
3.4. Az AsxS100-x üvegek Raman spektrumának gerjesztő energia-függése: fotoindukált szerkezeti átalakulások
3.5. Az AsxS100-x szerkezeti egységek (AsnSm klaszterek) geometriai és energetikai tulajdonságai
3.6. Az arzén-kén- és a kéntartalmú szerkezeti építőkövek elektronszerkezetének jellegzetességei
4. A Ge-S üvegképző rendszer
4.1. A GeS2 üveg optikai abszorpciója az Urbach tartományban és ennek függése a szintézis körülményeitől
4.2. A GeS2 üveg lokális szerkezete: a GenSm klaszter optimális geometriai konfigurációja, energiája és stabilitása
4.3. A GenSm klaszterek elektronszerkezetének számítása és a tilossávszélesség analízise
5. ÖSSZEFOGLALÁS
6. IRODALOMJEGYZÉK
Összefoglaló
A könyv különböző összetételű bináris As(Ge)-S kalkogenid üvegek kötésszerkezetének és középtávú rendeződésének Raman szórással történő vizsgálata során elért eredményeket mutatja be. Leírja a szerkezetvizsgálatokhoz használt arzénnel dúsított As(Ge)-S rendszerű bináris üvegek előállításának technológiai feltételeit. Ismerteti a Raman spektroszkópia, mint vizsgálati módszer alkalmazásával kapott eredményeket ezeken az üvegeken. Bemutatja az As(Ge)nSm nanoklaszterek rezgési- és elektronspektrumainak számítási módját ab initio módszerrel. Tárgyalja a sávok alakjának és pozíciójának változását a Raman spektrumokban a Raman szórás gerjesztési energiájának változásával. Összekapcsolja az As-S üveg különböző gerjesztési energiákkal kísérletileg meghatározott spektrumait és az AsnSm nanofázisok ab initio számításokkal meghatározott rezgési spektrumait a bináris kalkogenid tömbi üvegek és vékonyrétegek esetében. Az üvegek és rétegek Raman spektrumában a gerjesztő energia módosításakor megfigyelhető változások polimorf átalakulásokhoz kapcsolhatók, amelyek a lézersugárzás hatására mennek végbe a nemkristályos félvezetőkben.